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07.12.2005 - 65-nm-Prozesstechnologie für Hochleistungsprozessoren mit geringem Leistungsverbrauch von AMD und IBM vorgestellt

AMD und IBM präsentierten auf dem International Electron Devices Meeting (IEDM) in Washington, D.C., ihre Fortschritte bei der Entwicklung neuer Prozesstechnologien und Materialien zur Herstellung von Hochleistungsprozessoren mit Halbleiterstrukturen von 65 nm. Die Technologie wurde im Rahmen eines Entwicklungsabkommens zwischen AMD und IBM in AMDs Halbleiterwerk in Dresden sowie im IBM Semiconductor Research and Development Center in East Fishkill, N.Y., entwickelt.

Beide Unternehmen gaben bekannt, dass es gelungen sei, Embedded Silizium-Germanium (e-SiGe) mit Dual Stress Liner (DSL) und Stress Memorization Technologie (SMT) auf SOI-Wafern (Silicon-On-Insulator) zu kombinieren und somit gegenüber ähnlichen Chips, die ohne Stress-Technologie hergestellt werden, eine 40 Prozent höhere Transistorleistung zu erzielen, bei gleichzeitiger Kontrolle über den Stromverbrauch sowie die Verlustwärme.

Bei den neuen Prozesstechnologien kommen Isolationsmaterialien mit niedrigeren dielektrischen Konstanten (Lower-K) zum Einsatz, die kürzere Signallaufzeiten durch die Interconnects ermöglichen und somit die Leistung der Produkte verbessern und den Leistungsverbrauch senken. Die neuen Technologien lassen sich zur Produktion von Chips mit 65-nm-Strukturen einsetzen und sind aufgrund ihrer Skalierbarkeit auch zur Fertigung kommender Prozessor-Generationen nutzbar.

"Unsere Zusammenarbeit bei der Entwicklung moderner Prozesstechnologien beweist erneut unsere Fähigkeit, die leistungsstärksten Prozessoren herzustellen, die extrem wenig Strom verbrauchen," so Nick Kepler, AMDs Vice President of Logic Technology Development. "Mit diesen Errungenschaften erweitern wir die Liste unserer Erfolge und zeigen, wie sich mit gemeinsam genutztem Know-how und den Fähigkeiten beider Unternehmen Hindernisse beseitigen und wertvolle Innovationen für unsere Kunden realisieren lassen."

"Wir sind überzeugt, dass unsere Entwicklungspartnerschaft mit AMD in East Fishkill, N.Y., der richtige Weg ist, um bei Hochleistungschips mit Strukturen, die fast im atomaren Bereich liegen, Probleme mit dem Leistungsverbrauch und der Wärmeentwicklung zu lösen," so Gary Patton, Vice President, Technology Development, von IBMs Semiconductor Research and Development Center. "Die erfolgreiche Nutzung führender Technologien von IBM, AMD und unseren Partnern zur Entwicklung von 65-nm-Chips demonstriert die Stärke unseres gemeinsamen Innovationsmodells."


AMD ist ein weltweit tätiger Hersteller von integrierten Schaltkreisen für PC und vernetzte Computer sowie für Kommunikationsanwendungen. Am Standort Dresden sind die AMD Saxony LLC & Co. KG und die AMD Fab 36 LLC & Co. KG angesiedelt. AMD Saxony beschäftigt zurzeit rund 2.000 Mitarbeiter im Halbleiterwerk AMD Fab 30 und im Dresden Design Center, dem europäischen Zentrum von AMDs Produktentwicklung. AMD Fab 36 befindet sich im Aufbau und soll ab 2006 Mikroprozessoren in den Weltmarkt liefern.

(07.12.2005 / Quelle: saxxess.com / AMD / Bild: AMD)