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10.01.2005 - Infineon Dresden stellt auf 90 Nanometer-Technologie um

Infineon Dresden wird die beiden noch auf der Basis von 200-mm-Siliziumscheiben (Wafern) arbeitenden Werksteile vorläufig nicht auf die 300-mm-Technik umstellen.Wie Pressesprecherin Diana Rulle mitteilte, sei der Umstieg von der Strukturgeneration 110 auf 90 Nanometer-Technologie im Modul 3, der 300-mm-Modul-Linie, vorrangig. Diese Produktion solle im Sommer 2005 hochfahren.

Die DRAM-9 Nanometer-Speichertechnologien wurden von Infineon gemeinsam mit dem taiwanischen Partner Nanya Technologies im Entwicklungszentrum für Speicherprodukte (Memory Development Center) in Dresden entwickelt.

Auch für eine 70 Nanometer-Technologie liegen erste Prototypen vor. Den Fertigungsprozess für diese DRAMs auf 300-Millimeter-Wafern hatte das Unternehmen bereits beim International Electron Devices Meeting (IEDM) der Ingenieursvereinigung IEEE in San Francisco vom 13. bis 15. Dezember 2004 vorgestellt. Wann jedoch Infineon diese Serienfertigung aufnehmen will, gab das Unternehmen noch nicht bekannt. Gemessen an anderen Unternehmen, die an solchen Strukturbreiten arbeiten, ist jedoch frühestens Ende 2005 damit zu rechnen.


Die Infineon Technologies GmbH & Co. KG beschäftigt weltweit rund 7.200 Mitarbeiter in Forschung und Entwicklung. Am Standort Dresden, an welchem ca. 4.300 Beschäftigte arbeiten, hat Infineon die Entwicklung von Basistechnologien konzentriert.
Das Unternehmen schloss das Geschäftsjahr mit einem Umsatz von 7,2 Milliarden Euro und einem Konzerngewinn von 61 Millionen Euro ab. Infineon liegt damit im Top 5 der weltweiten Halbleiterunternehmen.

(10.01.2005 / Quelle: Infineon Technologies GmbH & Co. / Bild: Infineon Technologies GmbH & Co.)